山西烁科晶体有限公司作为山西省在第三代半导体材料方面的重点研制单位，通过近10年的研发，已突破了关键装备研制生产、高纯粉料合成、4-6寸高质量碳化硅单晶生长、碳化硅衬底“开盒即用”加工检测、同质外延验证等关键技术，相关产品已应用于相关重大工程项目中。

2017年，美国商务部将高纯半绝缘碳化硅单晶衬底列入禁运清单，实现这一材料的“自主可控”对我国国防具有重大意义。目前，公司已研制出可替代进口衬底的产品，并形成产业化。经过大量应用验证，山西烁科制备的碳化硅衬底上制备的GaN外延材料，电学性能与采用美国Cree衬底相当，获得了批量合同订单。

公司拥有目前国内规模最大的中国电科（山西）碳化硅材料产业基地，具备7.5万片/年碳化硅衬底的生产能力，国内市场占有率超过50%。产业基地完全投产后预计形成年销售收入45133万元，利润 6751万元，新增税收1368万元，新增就业100人。可提升所在区域内的企业活跃度，有利于产业园区进一步招商引资，扩大影响力。同时，将提供更多的就业机会，可带动关键生产装备研发、生产，带动碳化硅材料上下游企业，形成产业集群，促进我国碳化硅材料器件的发展，保障我国重点型号任务的顺利实施。

公司主要产品包括4-6英寸的高纯半绝缘碳化硅衬底和N型碳化硅衬底，目前高纯半绝缘衬底的国内市场占有率超过50%。山西烁科是国内唯一一家集碳化硅单晶工艺研究与设备研究于一体的研制生产单位，拥有一支高素质、高水平的半导体材料制备技术研究和半导体专用设备专职研发队伍，目前已具备2-6英寸碳化硅单晶生长设备研制生产能力，先后承担国家科技部国际科技合作项目、国家重大专项等项目，设备产业化能力达到世界先进水平。

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